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ON Semiconductor kündigt neue 650V-Siliziumkarbid-MOSFETs an

Überlegene Schaltleistung und verbesserte Zuverlässigkeit sorgen in zahlreichen anspruchsvollen Anwendungen für mehr Leistungsdichte.

ON Semiconductor kündigt neue 650V-Siliziumkarbid-MOSFETs an

ON Semiconductor (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, stellt eine neue Serie von Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs für anspruchsvolle Anwendungen vor, in denen die Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit eine wichtige Rolle spielen. Der Ersatz bestehender Silizium-Schalttechnik durch die neuen SiC-Bausteine ermöglicht deutlich höhere Leistungsfähigkeit in Anwendungen wie On-Board-Ladegeräten (OBC) für Elektrofahrzeuge (EV), Solarwechselrichtern, Server-Netzteilen (PSU), Telekommunikation und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).

Die neuen 650V-SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für den industriellen und Automotive-Bereich (AECQ101) ausgelegt und basieren auf einem neuen Halbleitermaterial mit großer Bandlücke (WBG; Wide-Bandgap), das im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und ein verbessertes Wärmeverhalten bietet. Dies führt zu einem höheren Wirkungsgrad auf Systemebene, mehr Leistungsdichte, weniger elektromagnetischen Störungen (EMI) sowie kleineren und leichteren Gesamtsystemen.

Die neuen SiC-MOSFETs basieren auf einem neuartigen Design für aktive Zellen und einer fortschrittlichen Dünnwafer-Technologie, die eine erstklassige Gütezahl/FOM (Figure of Merit) Rsp (RDS(on)*Fläche) für 650 V Durchbruchspannung erzielt. Der NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 und NTH4L015N065SC1 weisen den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 12 mΩ für Bausteine im D2PAK7L- und TO247-Gehäuse auf. Diese Technologie ist auch hinsichtlich ihrer Verlustleistung optimiert, was zu leistungsfähigeren Automotive- und Industrieanwendungen führt. Ein interner Gate-Widerstand (RG) bietet Entwicklern mehr Flexibilität, ohne dass Bauelemente mit externen Gate-Widerständen künstlich verlangsamt werden müssen. Höhere Spannungsspitzen, Lawinenfähigkeit und Robustheit bei Kurzschlüssen tragen zu einer höheren Zuverlässigkeit und längeren Lebensdauer der Bauelemente bei.

Asif Jakwani, Senior Vice President der Advanced Power Division bei ON Semiconductor, zu den neuen Bausteinen: „In modernen Leistungselektronik-Anwendungen wie On-Board-Ladegeräten (OBC) für Elektrofahrzeuge und anderen Anwendungen, wie erneuerbare Energien, Enterprise Computing und Telekommunikation, sind Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte ständige Herausforderungen für die Entwickler. Die neuen SiC-MOSFETs erhöhen die Leistungsfähigkeit im Vergleich zu den entsprechenden Si-Schalttechniken erheblich und ermöglichen es, diese anspruchsvollen Designziele zu erreichen. Die verbesserte Leistungsfähigkeit sorgt für geringere Verluste, einen höheren Wirkungsgrad, verringert die Anforderungen an das Wärmemanagement und sorgt für weniger EMI. Das Endergebnis beim Einsatz dieser neuen SiC-MOSFETs ist eine kleinere, leichtere, effizientere und zuverlässigere Stromversorgungslösung.“

Die neuen Bausteine werden in den SMD-Gehäusen TO247 und D2PAK ausgeliefert.

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