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Toshiba stellt neue 100V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor

Neue Bausteine sind die ersten aus Toshiba‘s neuer U-MOS X-H Serie.

Toshiba stellt neue 100V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor
Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen 100V n-Kanal-Leistungs-MOSFET vor, der sich für Automotive-Anwendungen wie Lastschalter, Schaltnetzteile und zur Ansteuerung von Motoren eignet.

Der neue XK1R9F10QB ist der erste Baustein der neuen U-MOS X-H Trench-MOSFETSerie von Toshiba und wird im neuesten Halbleiterfertigungsprozess hergestellt. Er wird im niederohmigen TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert, das einen branchenweit führenden Durchlasswiderstand RDS(on) von maximal 1,92mΩ bei UGS = 10V bietet.

Dies stellt eine Verbesserung (Reduzierung) von ca. 20% im Vergleich zu derzeitigen Bausteinen wie dem TK160F10N1L dar, was den Stromverbrauch verringert und die Effizienz in Automotive-Anwendungen erhöht. Der XK1R9F10QB weist aufgrund seiner optimierten Kapazitätseigenschaften auch weniger Schaltrauschen auf, um elektromagnetische Störungen (EMI) zu verringern.

Der neue Leistungs-MOSFET hält einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100V stand und ist für einen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von 160 oder 480A im gepulsten Zustand (IDP) ausgelegt. Der Baustein kann mit einer Kanaltemperatur von 175°C betrieben werden und weist einen Wärmewiderstand Zth(ch-c) zwischen Kanal zu Gehäuse von weniger als 0,4°C/W auf, der das wärmetechnische Verhalten verbessert.

Der XK1R9F10QB ist nach AEC-Q101 für Automotive-Anwendungen qualifiziert, und ein PSpice-Modell ist frei verfügbar, um eine schnelle Simulation zu unterstützen.

www.toshiba.com

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