TOSHIBA STELLT KOMPAKTE AUTOMOTIVE-KONFORME N-KANAL-MOSFETS MIT NIEDRIGEM DURCHLASSWIDERSTAND VOR

Automotive-qualifizierte Bausteine reduzieren den Stromverbrauch, um so den Kraftstoffverbrauch von Fahrzeugen zu senken.

Toshiba Electronics Europe („Toshiba“) stellt eine Reihe neuer hocheffizienter, Automotive-tauglicher n-Kanal-MOSFETs vor, die auf der eigenen fortschrittlichen U-MOSVIII-H-Prozesstechnologie basieren. Der XPN3R804NC und XPN7R104NC weisen eine Nennspannung von 40V auf, während der XPN6R706NC und XPN12006NC einen 60V-Betrieb unterstützen. Alle Bausteine bieten einen äußerst geringen Durchlasswiderstand bis hinab auf 3,8mΩ (XPN3R804NC bei 10V) sowie einen minimalen Leckstrom.

Die MOSFETs werden im SMD-TSON-Advance-(WF-)Gehäuse ausgeliefert, was den Platzbedarf auf dem Board auf ein Minimum reduziert. Mit ihren Abmessungen von nur 3,3mm × 3,6mm können sie Bausteine mit einer Größe bis zu 5mm × 6mm ersetzen. Mit ihren Wettable-Flank-Anschlüssen unterstützen die neuen MOSFETs auch die automatische Leiterplattenbestückung und optische Inspektion (AOI).

Die MOSFETs sind vollständig konform nach AEC-Q101 und für den Einsatz in Automotive-Umgebungen ausgelegt. Durch ihren kompakten Aufbau tragen sie zu kleineren elektronischen Steuergeräten (ECUs) in Fahrzeugen bei. Andere mögliche Anwendungen finden sich in Schaltreglern, DC/DC-Wandlern und Motortreibern.

www.toshiba.semicon-storage.com

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