Infineon erweitert Lieferbasis für Siliziumkarbid mit Produkten von GT Advanced Technologies

Gemeinsame Presseinformation von GT Advanced Technologies und Infineon Technologies AG.

Der mit GTAT geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass Infineon die schnell wachsende Nachfrage der Kunden nach SiC-Lösungen mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen kann. Das unterstützt die ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die Infineon die Technologieexpertise und Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzt.

Infineon Technologies AG und GT Advanced Technologies haben einen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Boules geschlossen. Der Vertrag hat eine Laufzeit von zunächst fünf Jahren. Mit diesem Liefervertrag sichert sich der deutsche Halbleiterhersteller einen weiteren Zugang zum Grundmaterial, der die steigende Nachfrage in diesem Bereich abdeckt. SiC ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter. Unter dem Markennamen CoolSiC vermarktet Infineon bereits jetzt das branchenweit größte Portfolio für Industrieanwendungen.

„Wir beobachten eine stetig steigende Nachfrage nach SiC-basierten Schaltern, insbesondere für industrielle Anwendungen“, sagte Peter Wawer, President der Industrial Power Control Division von Infineon. „Es zeigt sich darüber hinaus, dass der Automobilsektor rasch nachzieht. Der jetzt geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass wir die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen können. Die hochwertigen Boules von GTAT sind eine zusätzliche Quelle für wettbewerbsfähige SiC-Wafer, die jetzt und in Zukunft die höchsten Materialstandards erfüllen werden. Das unterstützt unsere ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die wir unsere Technologieexpertise und Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzen.“



Peter Wawer, Präsident der Industrial Power Control Division von Infineon Technologies AG

„Wir freuen uns sehr über den Abschluss eines langfristigen Liefervertrags mit Infineon“, sagte Greg Knight, Präsident und CEO von GT Advanced Technologies. "GTAT ermöglicht Infineon, die proprietäre Dünnwafer-Technologie bei den Boules von GTAT anzuwenden. Damit wird eine sichere und qualitativ hochwertige Versorgung mit eigenen SiC-Wafern erreicht. Die weitere Verbreitung von SiC-Bauelementen hängt maßgeblich von der aggressiven Kostenreduzierung des Substrats ab. Die Vereinbarung ist hierfür ein wichtiger Schritt.“

SiC wird heute schon in verschiedensten Applikationen eingesetzt, vor allem bei Fotovoltaikumrichtern, in Industrie-Stromversorgungen sowie der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge. Hier kommen die Vorteile von SiC auf Systemebene gegenüber klassischen Silizium-Lösungen sehr deutlich zum Tragen. Weitere industrielle Applikationen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und drehzahlgeregelte Antriebe nutzen immer stärker die neue Halbleitertechnologie. Ein enormes Potenzial für dessen Einsatz weisen auch Elektrofahrzeuge auf. Mögliche Anwendungsbereiche sind etwa der Hauptumrichter für den Antriebsstrang und die Onboard-Batterieladeeinheit.

www.infineon.com

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