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Diodes Incorporated stellt TOLL-MOSFETs für hohe Ströme in Elektrofahrzeug-Anwendungen vor

Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) stellt eine Reihe von Automotive-MOSFETs im platzsparenden, thermisch effizienten TOLL-Gehäuse (PowerDI®1012-8) vor.

Diodes Incorporated stellt TOLL-MOSFETs für hohe Ströme in Elektrofahrzeug-Anwendungen vor

Die 100V-MOSFETs DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ und die 80V-MOSFETs DMTH8001STLWQ (alle mit einer Betriebstemperatur bis 175 °C) belegen 20% weniger Platz auf der Leiterplatte als TO263-Gehäuse. Sie weisen eine Bauhöhe von nur 2,4 mm auf, was sie für den Einsatz in hochzuverlässigen Leistungselektronik-Anwendungen wie Energierückgewinnung, integrierte Starter-Generatoren und DC/DC-Wandler in batteriebetriebenen Fahrzeugen prädestiniert.

Das TOLL-Gehäuse verwendet Clip-Bonding, um einen niedrigen Gehäusewiderstand und eine kleine parasitäre Gehäuse-Induktivität zu erzielen, sodass der DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ typische Durchlasswiderstände von 1,3; 1,4 bzw. 1,68 mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10 V aufweisen. Darüber hinaus ermöglicht die niedrige parasitäre Gehäuse-Induktivität eine geringere elektromagnetische Störungen (EMI).

Mit einer um 50% größeren Lötkontaktfläche als beim TO263 ermöglicht das TOLL-Gehäuse eine thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,65 °C/W. Die MOSFETs können damit Ströme bis zu 270 A führen. Ihre verzinnten, trapezförmigen Anschlüsse erleichtern die automatische optische Inspektion (AOI). Die MOSFETs sind nach AEC-Q101 qualifiziert, PPAP-konform und werden in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt.

Ab 10.000 Stück kosten der DMTH10H1M7STLWQ und DMTH8001STLWQ je 2,36 US-$; der DMTH10H2M5STLWQ je 2,00 US-$.

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