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ENPOWER setzt als erstes Unternehmen die neuen diskreten EDT2-Bauteile für Automotive-Anwendungen ein

Die diskreten IGBT-EDT2-Bauteile im TO-247PLUS-Gehäuse ermöglichen Leistungssteigerungen und Systemkosteneinsparungen in Hauptwechselrichteranwendungen und DC-Link-Entladeschaltern von Elektrofahrzeugen. Darüber hinaus bieten sie eine große Designfreiheit, um Ziele in der Systemintegration einfacher zu erreichen.

ENPOWER setzt als erstes Unternehmen die neuen diskreten EDT2-Bauteile für Automotive-Anwendungen ein
Die diskreten IGBT-EDT2-Bauteile im TO-247PLUS-Gehäuse von Infineon ermöglichen Leistungssteigerungen und Systemkosteneinsparungen in Hauptwechselrichteranwendungen und DC-Link-Entladeschaltern von Elektrofahrzeugen.

Zhuhai ENPOWER Electric Co., Ltd, ein führender chinesischer Anbieter von Wechselrichtern für die Automobilindustrie, setzt als erstes Unternehmen die neuesten 750 V IGBTs für Automotive-Anwendungen AIKQ120N75CP2 und AIKQ200N75CP2 der Infineon Technologies AG ein.

„ENPOWER verfolgt konsequent den technologischen Weg der Entwicklung von Motor Control Units (MCUs) mit diskreten Komponenten. Wir entwickeln kontinuierlich Produkte, die sowohl gut als auch kostengünstig sind, um so den Wettbewerbsvorteil unserer MCUs auf dem Markt zu erhalten“, sagt Liu Hongxin, F&E-Direktor für MCUs bei ENPOWER. „Die branchenführenden diskreten IGBTs von Infineon sind durch das Gehäuse mit der letzten Generation kompatibel. Zusammen mit der hohen Stromdichte, dem extrem niedrigen Sättigungsspannungsabfall und dem hervorragenden Parallelverhalten hat sich die Leistungsdichte unserer Produkte um mehr als 20 Prozent erhöht, was die Wettbewerbsfähigkeit unserer Produkte weiter verbessert.“

„Wir freuen uns sehr über diese enge und erfolgreiche Zusammenarbeit mit ENPOWER. Dieses Projekt unterstreicht einmal mehr unsere starke Position im Bereich der Wechselrichteranwendungen“, sagt Dr. Robert Hermann, Leiter der Produktlinie Automotive High Power Discretes and Chips bei Infineon. „Durch unsere umfassende Technologiekompetenz und unser Systemverständnis können wir innovative Lösungen auf den Markt bringen, die perfekt auf die Bedürfnisse der Kunden zugeschnitten sind.“

Die EDT2-Benchmark-Technologie wurde bereits sehr erfolgreich auf dem Markt eingeführt. Sie ist in einem TO247-Gehäuse erhältlich, das für diskret aufgebaute Traktionswechselrichter im Automotive-Bereich optimiert ist. Die neuen Produktvarianten mit 120 A und 200 A (bei 100°C) erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauteilen für Automotive-Anwendungen. Insbesondere im Hinblick auf Skalierbarkeit, Flexibilität und Systemkosten bieten Wechselrichter auf diskreter Basis Vorteile.

Darüber hinaus ermöglicht die 750 V EDT2-Technologie leistungsstarke Systemdesigns. Mit einem Nennstrom von 200 A ist der AIKQ200N75CP2 der klassenbeste diskrete IGBT in einem TO247Plus-Gehäuse. Auf diese Weise müssen für eine festgelegte Zielleistungsklasse weniger Bauteile parallel geschaltet werden. Gleichzeitig werden die Leistungsdichte erhöht und die Systemkosten gesenkt. Durch ihre hohe Qualität sind die IGBTs von Infineon wichtige Bausteine für zuverlässige Wechselrichtersysteme.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

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