TOSHIBA: NEUE N-KANAL-LEISTUNGS-MOSFETS MIT VERBESSERTER WÄRMEABLEITUNG UNTERSTÜTZEN HÖHERE STRÖME IM AUTOMOTIVE-BEREICH

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt zwei neue 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die die Entwicklung kommender Fahrzeuge maßgeblich beeinflussen werden. Der XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das bahnbrechende L-TOGLTM (Large Transistor Outline Gull Wing Leads) -Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen.

Noch vor der Serienfertigung, gewann der XPQR3004PB bei den kürzlich von AspenCore verliehenen World Electronics Achievement Awards (WEAA) in der Kategorie „Leistungshalbleiter/Treiber des Jahres 2022“.

Durch ihr L-TOGL-Gehäuse und der daraus resultierenden besseren Wärmeableitung können die neuen MOSFETs höhere Ströme handhaben. Sie verfügen über hohe DrainStromwerte (400 A für den XPQR3004PB und 200 A für den XPQ1R004PB) sowie branchenführende Durchlasswiderstandswerte (0,3 mΩ für den XPQR3004PB und 1 mΩ für den XPQ1R004PB).

Die Source – und die externen Anschlüssen werden mit einem innovativen Kupferclip direkt miteinander verbunden. Eine Multi-Pin-Struktur für die Source-Leitungen reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) um etwa 70 % im Vergleich zum bestehenden TO-220SM(W)-Gehäuse. Der daraus resultierende DrainStrom (ID) des XPQR3004PB ist um 60 % höher als der des TKR74F04PB, der im TO220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert wird. Darüber hinaus reduziert der dicke Kupferrahmen den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse erheblich. Dieser beträgt 0,2°C/W für den XPQR3004PB und 0,65°C/W für den XPQ1R004PB. Dies erleichtert die Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen und erhöht die Zuverlässigkeit. Der XPQR3004PB und der XPQ1R004PB sind für den Einsatz in anspruchsvollen Automotive-Anwendungen bei Temperaturen bis zu 175°C vorgesehen und sind beide AEC-Q101-qualifiziert. Ihre Gull-Wing-Anschlüsse reduzieren Belastungen bei der Montage und ermöglichen eine einfache visuelle Inspektion. Damit erhöht sich die Zuverlässigkeit der Lötstellen.

Beim Einsatz in Hochstromanwendungen im Automobilbereich, z.B. Halbleiterrelais oder integrierte Startergeneratoren (ISG), vereinfachen der XPQR3004PB und XPQ1R004PB das Design und sorgen für geringere Anzahl der erforderlichen MOSFETs. Damit lassen sich Größe, Gewicht und Kosten einsparen.

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