Einsatz von ROHM's SiC MOSFET Bare Chips der 4. Generation in drei EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Vergrößerte Reichweite und verbesserte Leistung durch Integration in Traktionswechselrichtern.

ROHM stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion von Traktionswechselrichtern in drei Modellen der Marke ZEEKR EV der Zhejiang Geely Holding Group (Geely), einem der zehn weltweit führenden Automobilhersteller, bereit. Seit 2023 werden diese Leistungsmodule in Massenproduktion hergestellt und von HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd. – einem Joint Venture zwischen ROHM und Zhenghai Group Co., Ltd. – an Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, einem Tier-1-Hersteller unter Geely, geliefert.

Geely und ROHM kooperieren seit 2018, zunächst im Rahmen eines technischen Austauschs, später dann im Rahmen einer strategischen Partnerschaft mit Schwerpunkt auf SiC-Leistungsbauelemente im Jahr 2021. Diese Partnerschaft führte zur Integration von ROHMs SiC-MOSFETs in die Traktionswechselrichter folgender Modelle: dem ZEEKR X, 009 und 001. In jedem dieser Elektrofahrzeuge führen die auf SiC-MOSFETs basierenden Stromversorgungslösungen von ROHM zu einer verlängerten Reichweite und verbesserten Gesamtleistung.

ROHM setzt sich für die Weiterentwicklung der SiC-Technologie ein und plant, SiC-MOSFETs der 5. Generation im Jahr 2025 auf den Markt zu bringen. Darüber hinaus kann ROHM durch das Angebot von SiC in verschiedenen Formen, darunter Bare Chips, diskrete Komponenten und Module, die breite Einführung der SiC-Technologie fördern und so zur Schaffung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen.

ZEEKR-Modelle mit EcoSiC™ von ROHM ausgestattet
Der ZEEKR X, ein kompakter SUV, weist eine maximale Leistung von über 300 kW und eine Reichweite von mehr als 400 km auf. Das Modell erregt aufgrund seines außergewöhnlichen Preis-Leistungsverhältnisses auch außerhalb Chinas Aufmerksamkeit. Der Minivan 009 verfügt über ein intelligentes Cockpit und eine große 140-kWh-Batterie, mit der er eine herausragende maximale Reichweite von 822 km erreicht. Für diejenigen, die eine überragende Leistung suchen, bietet das Flaggschiffmodell 001 eine maximale Leistung von über 400 kW aus zwei Motoren mit einer Reichweite von über 580 km sowie ein unabhängiges Vierradsteuerungssystem.

Marktübersicht und ROHMs EcoSiC™
Die Entwicklung kompakterer, effizienterer und leichterer elektrischer Systeme schreitet weiter voran. So wird die Verbreitung von Elektrofahrzeugen der nächsten Generation (xEVs) gefördert und Umweltziele wie die Kohlenstoffneutralität werden erreicht. Insbesondere bei Elektrofahrzeugen ist der verbesserte Wirkungsgrad des Antriebsumrichters, ein Schlüsselelement des Antriebssystems, von entscheidender Bedeutung, um die Reichweite zu erhöhen und somit die Bordbatterie verkleinern zu können. Dadurch steigen die Erwartungen an SiC-Leistungsbauelemente.




Als weltweit erster Anbieter, der 2010 mit der Massenproduktion von SiC-MOSFETs begann, ist ROHM weiterhin führend in der Entwicklung der SiC-Bauteiltechnologie. Diese Bauelemente werden nun unter der Marke EcoSiC™ vermarktet und umfassen ein umfassendes Sortiment, das Bare Chips, diskrete Komponenten und Module umfasst. Weitere Informationen finden Sie auf der SiC-Seite auf der Website von ROHM: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices

EcoSiC™-Marke
EcoSiC™ ist ein Markenzeichen für ROHM-Produkte, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. SiC gilt als ein Schlüsselmaterial für die nächste Generation von Leistungshalbleitern. Es bietet erhebliche Vorteile in Bezug auf Effizienz und Zuverlässigkeit, insbesondere bei Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeugen, Industrieanlagen und Systemen für erneuerbare Energien. Mit der Einführung von EcoSiC™ positioniert sich ROHM als Anbieter von fortschrittlichen und nachhaltigen Technologien.

EcoSiC™ ist eine eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.

Weiterführende Informationen
ROHM bietet Unterstützung auf Anwendungsebene, einschließlich des Einsatzes hauseigener Motortestgeräte. Darüber hinaus können Benutzer durch Klicken auf die nachstehende URL auf verschiedene weiterführende Inhalte auf der ROHM-Website zugreifen, die die Bewertung und Einführung von SiC-MOSFETs 4. Generation erleichtern, z. B. SPICE- und andere Designmodelle, Simulationsschaltungen für gängige Anwendungen (ROHM Solution Simulator) und Informationen zu Evaluierungsboards.

www.rohm.com

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