NEUE 1200 V SIC-SCHOTTKY-DIODEN VON TOSHIBA ERREICHEN NIEDRIGE VORWÄRTSSPANNUNG VON TYPISCH 1,27 V

Toshiba Electronics Europe GmbH erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden um zehn neue 1200 V- Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) im bedrahteten Gehäuse. Die TRSxxx120Hx-Serie, die aus fünf Produkten im TO-247-2L-Gehäuse und fünf im TO-247-Gehäuse besteht, unterstützt Entwickler dabei, die Effizienz von Industrieanlagen wie Photovoltaik- Wechselrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) und Schaltnetzteilen zu verbessern.

Durch die Implementierung einer verbesserten Junction-Barrier-Schottky-(JBS)-Struktur ermöglicht die TRSxxx120Hx-Serie eine sehr niedrige Vorwärtsspannung (V_F) von nur 1,27 V (typ.). Die in die JBS-Struktur integrierte PiN-Schottky-Diode reduziert die Diodenverluste bei hoher Stromstärke. Die TRS40N120H der neuen Serie unterstützt einen Vorwärtsgleichstrom (I_F(DC)) von maximal 40 A und einen nicht wiederholbaren Spitzenstoßstrom (I_FSM) von maximal 270 A, wobei sich die maximale Gehäusetemperatur (T_C) aller Bauteile auf +175 °C beläuft.

Mit einer Kombination aus geringerer kapazitiven Ladung und niedrigem Leckstrom tragen die Produkte dazu bei, die Systemeigenschaften zu verbessern und das thermische Design zu vereinfachen. Zum Beispiel bietet die TRS20H120H-Diode im TO- 247-2L-Gehäuse bei einer Sperrspannung (V_R) von 1200 V eine gesamte kapazitive Ladung (Q_C) von 109 nC und einen Rückstrom (I_R) von 2 μA.

Hier finden Sie weitere Informationen zur neuen TRSxxx120Hx-Serie von 1200 V-SiC- Schottky-Barriere-Dioden.