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06
'25
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ROHMs SiC-MOSFETs treiben Schaefflers High Voltage Inverter Brick an
Schaefflers Inverter-Teilmontage nutzt SiC-Halbleiter für kompakte, leistungsstarke 800 V-Elektroantriebssteuerung und liefert 650 A, PWM, DC-Boost sowie skalierbare Integration für verschiedene Fahrzeuge.
www.rohm.com

ROHM und Schaeffler, ein führender deutscher Automobilzulieferer, haben im Rahmen ihrer strategischen Partnerschaft mit der Serienproduktion eines neuen High-Voltage-Inverter-Bricks begonnen, der mit SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Bare-Chips von ROHM ausgestattet ist. Der Inverter Brick ist für einen führenden chinesischen Automobilhersteller bestimmt.
Das Schaeffler Inverter Sub-Modul ist ein zentraler Leistungselektronik-Baustein (Brick) und ermöglicht zuverlässig die Steuerung des elektrischen Antriebs durch Logiksignale. Hier werden die hochfrequenten Stromimpulse erzeugt, die den Elektromotor des Fahrzeugs in Bewegung setzen. Die Leistungsmerkmale des jetzt produzierten Inverter-Bricks sind beachtlich: Schaeffler hat die Leistung des Bricks durch Anhebung der maximal möglichen Batteriespannung deutlich über die sonst vielfach üblichen 800 V hinaus gesteigert – und das bei Effektivströmen von bis zu 650 A, was das Sub-Modul zu einem kompakten Power-Paket macht.
„Durch unseren strategischen Ansatz der Skalierbarkeit und Modularität bei unseren E-Mobilitätslösungen – von der einzelnen Komponente bis zu einer hochintegrierten elektrischen Achse – haben wir den leicht integrierbaren Inverter Brick entwickelt. Basierend auf unserer generischen Plattformentwicklung konnten wir somit in nur einem Jahr dieses optimale Produkt für die in China gefragten X-in-1-Architekturen in Serie bringen“, sagt Thomas Stierle, CEO der E-Mobility Division bei Schaeffler.

SiC MOS Wafer
Modularität und Skalierbarkeit als Schlüssel zur leichten Integration
Als Kernstück eines Inverters muss der Brick hohe Anforderungen erfüllen. Die Eigenschaften des Submoduls begünstigen den aktuellen Verkaufserfolg und den Start der Serienproduktion: Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter von ROHM ermöglichen durch ihr modulares und skalierbares Design die kompakte, effiziente und einfache Integration des rahmenmontierten Submoduls mit hoher Leistungsdichte in verschiedene Wechselrichter.
Innerhalb des Sub-Moduls sind das Power-Modul für die Pulsweitenmodulation (PWM) der Stromimpulse, der Zwischenkreiskondensator, ein DC-Link sowie ein Kühler integriert. Zusätzlich verfügt der Brick über eine DC-Boost-Funktion, dank der ein Fahrzeug mit 800-V-Architektur auch an einer 400-V-Ladesäule mit 800-V-Ladegeschwindigkeit laden kann.
„Wir freuen uns über den Beginn der Serienproduktion von Schaefflers Inverter Brick mit unseren SiC-Leistungskomponenten der 4. Generation“, sagt Dr. Kazuhide Ino, Mitglied des Vorstands und Managing Executive Officer bei ROHM. „Mit unserer SiC-Technologie tragen wir wesentlich dazu bei, die Effizienz und Leistung von Elektrofahrzeugen zu steigern. Gemeinsam mit Schaeffler als Partner fördern wir so Innovation und Nachhaltigkeit in der Automobilindustrie“, fügt Dr. Ino hinzu.
Die strategische Partnerschaft von Schaeffler (gestartet unter Vitesco Technologies) mit ROHM besteht bereits seit dem Jahr 2020 und umfasst die Kapazitätssicherung für energieeffiziente SiC-Leistungshalbleiter.
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