Nehmen Sie an unseren 155000 IMP Followern teil

www.auto-innovationen.com

Automotive-MOSFET-Gehäuse verbessert Lötzuverlässigkeit

ROHM führt ein kompaktes Gull-Wing-Gehäuse für stabile Lötverbindungen und hohe Stromtragfähigkeit in Niederspannungs-Fahrzeugelektronik ein.

  www.rohm.com
Automotive-MOSFET-Gehäuse verbessert Lötzuverlässigkeit

Niederspannungs-Leistungsstufen in Fahrzeugen benötigen mechanisch belastbare Lötverbindungen und vorhersehbares thermisches Verhalten, da die Elektrifizierung immer mehr Subsysteme umfasst. Vor diesem Hintergrund erweiterte ROHM sein 40-V/60-V-MOSFET-Portfolio für Automotive-Anwendungen um Bauelemente im neuen HPLF5060-Gehäuse.

Kleinere Bauform mit kontrollierbarer Lötqualität
Steuergeräte, Pumpen und Beleuchtungsmodule im Fahrzeug nutzen zunehmend kompakte Leiterplattenlayouts und bewegen sich in Richtung Gehäusegrößen um 5 × 6 mm. Leadless-Bauformen reduzieren zwar die Fläche, erschweren jedoch Inspektion und Lötzuverlässigkeit aufgrund enger Anschlussabstände.

Das HPLF5060-Gehäuse misst 4,9 mm × 6,0 mm und ersetzt die größere TO-252-Bauform (6,6 mm × 10,0 mm). Statt einer leadless Struktur kommen Gull-Wing-Anschlüsse zum Einsatz, wodurch sichtbare Lötfillets entstehen und die Montagezuverlässigkeit sowohl in der automatisierten Fertigung als auch bei thermischen Lastwechseln im Betrieb steigt.

Damit wird ein typisches Automotive-Problem adressiert: Ermüdung von Lötstellen durch Vibrationen und Temperaturzyklen im Bereich von −40 °C bis +150 °C.

Stromtragfähigkeit über interne Kontaktierung
Um trotz kleinerer Bauform die elektrische Leistungsfähigkeit zu erhalten, nutzt das Gehäuse eine Kupfer-Clip-Kontaktierung. Im Vergleich zur klassischen Drahtbond-Technik reduziert diese den elektrischen Widerstand und verbessert die Wärmeverteilung zwischen Chip und Anschlüssen.

Dies ermöglicht höhere Stromdichten und geringere Leitverluste in 12-V- und 48-V-Bordnetzen, etwa in elektrischen Pumpen, LED-Scheinwerfern oder Inverter-Steuerstufen innerhalb verteilter Fahrzeug-Elektroniksysteme.

Produktionsstart und Erweiterung des Gehäuseportfolios
Die Serienfertigung von MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse begann im November 2025; die Bauelemente werden über Distributoren wie DigiKey und Farnell vertrieben.

Zusätzlich wurden weitere Gehäusevarianten angekündigt:
  • DFN3333 (3,3 mm × 3,3 mm) mit Wettable-Flank-Technologie, Serienstart etwa Februar 2026, geeignet für automatische optische Inspektion nach dem Löten
  • TOLG (TO-Leaded with Gull-wing, 9,9 mm × 11,7 mm) in Entwicklung für höhere Leistungen
Damit deckt das Portfolio Anwendungen von kompakten Steuerkreisen bis zu stromstarken Leistungsstufen in elektrifizierten Fahrzeugsystemen ab.

www.rohm.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…

LinkedIn
Pinterest


Passwort vergessen?

Nehmen Sie an unseren 155000 IMP Followern teil